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13 mai 2009

Samsung dévoile une carte mémoire de 32 Go gravée en 30 nm



Grâce à un nouveau processus de gravure, le constructeur coréen est parvenu à doubler la densité des puces moviNAND pour produire une carte mémoire de 32 Go gravée en 30 nm.


Principal fabricant de mémoire flash NAND avec environ 40% du marché, Samsung vient de dévoiler une carte mémoire de 32 Go basée sur le format propriétaire moviNAND.

Cette technologie utilise des puces mémoire gravées en 30 nm.

La carte de 32 gigaoctets embarque 8 puces de 32 gigabits chacune qui fonctionnent de concert grâce à un firmware et un contrôleur multimédia.

Ces cartes existent aussi en 16, 8 et 4 Go. On devrait les retrouver prochainement dans des smartphones haut de gamme, des netbooks, des baladeurs numériques, des appareils photo, des cartes SD ou SSD.

Toutefois, la production en volume ne devrait pas décoller avant 2 à 3 ans.

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